RS8-595_605MBG(210-120 modulo bifacciale con doppio vetro)
Adatto per centrali elettriche a terra e progetti distribuiti
La tecnologia avanzata dei moduli offre un'efficienza dei moduli superiore
·Wafer drogato al gallio ·Taglio non distruttivo ·MBB mezzo taglio
Eccellenti prestazioni di generazione di energia
·Eccellente IAM e risposta alla luce debole ·Valutazioni a bassa temperatura ·Declino di potenza lineare dello 0,45%.
L'elevata qualità dei moduli garantisce un'affidabilità a lungo termine
· Materiale rigorosamente selezionato · Tecnologia avanzata · Standard leader
Caratteristiche elettriche STC | RS9-650M-E1 | RS9-655M-E1 | RS9-660M-E1 | RS9-665M-E1 | RS9-670M-E1 |
Potenza massima (Pmax) | 650 W | 655W | 660W | 665W | 670W |
Tolleranza di potenza | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W |
cienza | 20,92% | 21,09% | 21,25% | 21,41% | 21,57% |
Corrente di potenza massima (lmp) | 17:39 | 17:43 | 17:47 | 17.51A | 17:55 |
Tensione di alimentazione massima (Vmp) | 37,40 V | 37,60 V | 37,80 V | 38,00 V | 38,20 V |
Corrente di cortocircuito (lsc) | 18.44A | 18.48A | 18.53A | 18.57A | 18.62A |
Tensione a circuito aperto (Voc) | 45,30 V | 45,5 V | 45,70 V | 45,90 V | 46,10 V |
Valori in condizioni di prova standard STC (AM1.5, irraggiamento 1000 W/m, temperatura cella 25°C) | |||||
Caratteristiche elettriche NOCT | RS9-650M-E1 | RS9-655M-E1 | RS9-660M-E1 | RS9-665M-E1 | RS9-670M-E1 |
Potenza massima (Pmax) | 492W | 496 W | 500W | 504W | 508 W |
Corrente di potenza massima (lmp) | 14.09A | 14.13A | 14.17A | 14.22A | 14.26A |
Tensione di alimentazione massima (Vmp) | 34,90 V | 35,10 V | 35,30 V | 35,40 V | 35,60 V |
Corrente di cortocircuito (lsc) | 14.86A | 14.89A | 14.93A | 14.96A | 15.01A |
Tensione a circuito aperto (Voc) | 42,70 V | 42,90 V | 43,00 V | 43,20 V | 43,40 V |
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